比特派路径 三星 1.4nm 工艺细节初次曝光,纳米片数目增多到 4 个

发布日期:2023-11-15 19:32    点击次数:129

比特派路径 三星 1.4nm 工艺细节初次曝光,纳米片数目增多到 4 个

IT之家 11 月 1 日音书,把柄 DigiTimes 报说念,Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 败露比特派路径,三星行将推出 SF1.4(1.4 nm)工艺中,纳米片(nanosheets)的数目从 3 个增多到 4 个,有望赫然改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的超越地位,在推出基于 GAA 的 SF3E 之后,计较 2027 年上线 SF1.4(1.4nm)工艺,通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目比特派路径,不错增强驱动电流,从而升迁性能,更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关才智和开动速率。

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此外,更多的纳米片不错更好地戒指电流,这有助于减少走电流,从而镌汰功耗。此外,改换的电流戒指还意味着晶体管产生的热量更少,从而升迁了功率后果。

IT之家此前报说念比特派路径,三星还计较在 1.4nm 工艺中接收背部供电(BSPDN)本事,旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲,但于今仍未在行家范围内履行。

诚然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为本事节点进行系统定名,但毫无疑问现在的工艺本事亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩门道阻挡地上前发展,集成电路内电路与电路间的距离也阻挡缩窄,从而对彼此产生干豫,而 BSPDN 本事则不错克服这一限制,这是因为咱们不错诓骗晶圆后面来构建供电门道,以分隔电路和电源空间。

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《三星计较 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电本事》

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